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Les semi-conducteurs composés II-VI sont d’une grande importance en raison de leur application dans divers dispositifs électro-optiques. Les films minces de ZnS trouvent de nombreuses autres applications dans le domaine de la fabrication de dispositifs optoélectroniques tels que les diodes émettrices de lumière UV, les diodes émettrices de lumière bleue, les écrans plats émissifs, les dispositifs électroluminescents et les revêtements antireflets dans la technologie des cellules solaires. Plusieurs méthodes ont été utilisées pour préparer des films minces de ZnS. Nous avons déposé des films de ZnS par la méthode de dépôt en bain chimique en utilisant de l’hydroxyde de sodium comme agent complexant. Les caractéristiques structurelles et morphologiques des films ont été étudiées par diffraction des rayons X (XRD) et au microscope électronique à balayage. La diffraction des rayons X montre que le film déposé est de nature polycristalline avec une structure cubique. La taille des grains est estimée entre 35 et 70 nm. La cristallinité du film de ZnS a été analysée par HRTEM à l’aide du schéma de diffraction électronique. Les films présentent de bonnes propriétés optiques avec une transmittance élevée dans la région visible et la valeur de la bande interdite est de 3,3 eV - 2,1 eV. Les films de ZnS peuvent être utilisés comme couches tampons sur les cellules solaires CdTe.
